Polvo de Sílice Fundido
Elaborado a partir de cuarzo de alta pureza mediante fusión a alta temperatura y molienda fina. Bajo coeficiente de expansión térmica, excelente aislamiento eléctrico.
| Contenido SiO₂ | ≥99.9% |
|---|---|
| Blancura | ≥90 |
| Tamaño Partícula (D50) | 2-30μm |
| Expansión Térmica | 0.5×10⁻⁶/℃ |
| Aislamiento Eléctrico | Excelente |
| Densidad | 2.2 g/cm³ |
| Dureza Mohs | 5.5 |
| Constante Dieléctrica | 3.8 |
| Humedad | ≤0.1% |
| Pérdida por Ignición | ≤0.2% |
| Modelo | Malla | D50 | Pureza | Aplicaciones |
|---|---|---|---|---|
| FS-200 | 200 mesh | — | ≥99.9% | Fundición de PrecisiónMoldes de Cáscara |
| FS-325 | 325 mesh | ~44 μm | ≥99.9% | Uso GeneralRecubrimientos |
| FS-1250 | 1250 mesh | ~10 μm | ≥99.9% | Baja ExpansiónEmpaquetado Electrónico |
| FS-3000 | 3000 mesh | 3-5 μm | ≥99.95% | Empaquetado de SemiconductoresEmpaquetado Electrónico |
| FS-5000 | 5000 mesh | 1-3 μm | ≥99.98% | MicronizadoEmpaquetado de Semiconductores |
El polvo de sílice fundido se fabrica fundiendo cuarzo de alta pureza a alta temperatura y moliéndolo. Tiene baja expansión térmica y excelente aislamiento eléctrico, ideal para encapsulado electrónico.
Disponible de malla 200 a 5000, pureza ≥99.9%-99.98%. Grados de bajo alfa disponibles.
El polvo de sílice fundido se usa en encapsulado electrónico, compuestos de moldeo epoxi, laminados recubiertos de cobre y fundición de precisión.
El grado bajo alfa reduce la tasa de errores blandos (SER), adecuado para aplicaciones sensibles a la radiación como el encapsulado avanzado de semiconductores.